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    收藏!高手分享EMI/EMC整改经验
    来源: 未知 发布时间: 2019-08-13 浏览次数:101
     关于晶体部份:
     
    1、晶体到MCU的两条线不要太细,尽量短直,且这两条线与两个负载电容所包围的面积要越小越好,电容地端,最好单独用较宽的走线单独引至MCU振荡地,不要与大面积地铜箔相连;
     
    2、晶体背面最好是整片的地铜箔,不要走其它线,也不要在晶体正面上方走别的线;
     
    3、有的MCU与不适合的晶体配合,振幅过高,产生截顶失真,便会产生较强的基波及强烈的谐波辐射,这种情况需在Xout上造近MCU一端串几十至几百欧电阻,让振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3为宜;
     
    高速线,一般是SDRAM、及数字视频信号的VCLK了,最好在其走线背面有地铜层,没有条件的,至少要有一条较宽的地线“护送”,能包地就更理想了,有的时候需要在靠MCU一端串电阻,消除过冲(过冲对辐射影响很大),不要串得太大,以免引起延迟;还有就是背面不要有平行的线,正面也是;另外就是USB,要走差分线;
     
    低速较长的线,也不容忽视,尽可能用RC抑制高频分量,靠近对外的接口处,要串磁猪, 电源进线处,串小的共模电感
     
    总而言之,辐射过强是较大的dv/dt,及较大的环路面积引起,想办法抑制电压瞬变,降低信号过冲,缩小信号与电流回流的环路面积。还有就是小天线效应
     
    最后的没有办法的办法,才是屏蔽,成本十分昂贵

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